SEI/UTFPR - 3167692 - Edital de Abertura

De ordem do Magnífico Reitor da Universidade Tecnológica Federal do Paraná (UTFPR), consoante Decreto nº 7.485, de 18 de maio de 2011, publicado no Diário Oficial da União (DOU) de 19 de maio de 2011, Portaria Interministerial nº 253, de 26/07/2011, publicada no DOU de 27 subsequente, c/c Portaria MEC nº 1.034, de 27/07/2011, publicada no DOU de 28 subsequente, torno público a abertura de inscrições para o Processo Seletivo para Professor Substituto para o preenchimento de 2 (duas) vagas para a carreira de Professor do Magistério Federal, nos termos do presente Edital de Abertura e do Edital de Condições Gerais Nº 001/2019, publicado no DOU de 06 de novembro de 2019 e disponível em https://sei.utfpr.edu.br/sei/publicacoes/controlador_publicacoes.php?acao=publicacao_visualizar&id_documento=1262866&id_orgao_publicacao=0.

c) O endereço da Coordenadoria de Gestão de Recursos Humanos do Campus Campo Mourão: Via Rosalina Maria dos Santos, 1233, Vila Urbanizada, Campo Mourão - PR.

1.2 O período de contrato será de 6 (seis) meses, sendo admitida sua prorrogação, no interesse da Administração e nas hipóteses legais vigentes, desde que o prazo do contrato não exceda 02 (dois) anos, conforme dispõe a Lei 8.745/1993.

1.3 O valor da taxa de inscrição, a remuneração e os requisitos estão disponíveis no Anexo I.

2.1 A inscrição deverá ser realizada das: 9h do dia 22/12/2022 às 23h do dia 22/01/2023.

2.5 Prazo para recurso contra o indeferimento do pedido de Isenção: das 18h do dia 10/01/2023 às 18h do dia 12/01/2023.

3.1 O ensalamento da Prova Escrita será divulgado no dia 31/01/2023 até às 18h.

4.1 Publicação, na página do concurso, da portaria de composição da banca examinadora: 24/01/2023 até às 18h.

4.2 Prazo de recurso para impugnação de membro da banca examinadora: das 18h do dia 24/01/2023 às 18h do dia 26/01/2023.

5.1 O Processo Seletivo será constituído de Prova Escrita, dissertativa, e Prova de Desempenho de Ensino.

5.2.5 O acesso ao local de realização da Prova Escrita será fechado com 15 (quinze) minutos de antecedência ao início da prova.

6.2 Prazo para Recurso contra a PE: das 18h do dia 06/02/2023 às 18h do dia 08/02/2022.

6.5 Prazo para Recurso contra o Resultado Final: das 18h do dia 13/02/2023 às 18h do dia 15/02/2023.

(1) Referência utilizada: Tabela de Áreas do Conhecimento da CAPES, disponível em https://goo.gl/YoT6v7.

(2) Quando não especificada, a Pós-Graduação mínima deve ser em nível de especialização.

1. Física dos Semicondutores: Modelos atômicos, Ligações Covalentes, Estruturas Cristalinas, Diagrama de Bandas de Energia, Semicondutores Intrínsecos, Semicondutores extrínsecos.
2. Fenômenos de Transporte: Mecanismo de condução de corrente elétrica por deriva, Mecanismo de condução de corrente elétrica por difusão, Processos de Geração e Recombinação, Processo de Emissão Termiônica, Processo de Tunelamento.
3. Junção PN: Condição de Equilíbrio Térmico, Região de Depleção, Capacitância de Depleção, Curva Característica I-V, Polarização Direta e Reversa, Região de Ruptura.
4. Transistor Bipolar: Estrutura, Processos de Fabricação, Funcionamento Físico, Curvas Características.
5. Transistor de Efeito de Campo: Estrutura, Processos de Fabricação, Funcionamento Físico, Curvas Características.
6. Processos de Fabricação: Crescimento Cristalino, Crescimento Epitaxial, Processos de Dopagem, Deposição de Filmes Finos, Processos de Corrosão, Litografia.
7. Circuitos Integrados Analógicos: Amplificadores Operacionais, Conversores A/D, Conversores D/A.
8. Circuitos Integrados Digitais: Famílias Lógicas (TTL, CMOS, ECL), ASICs, Microprocessadores.

Observação:
O ponto sorteado para a Prova Escrita será retirado para o sorteio de ponto da Prova de Desempenho de Ensino.

A relação a seguir contempla as referências consideradas elementares, o que não impede que outras sejam utilizadas.

Swart, J. Semicondutores: fundamentos, técnicas e aplicações. Campinas, SP:UNICAMP, 2008. 374 p.
Sedra, Adel S.; Smith, Kenneth C. Microelectronic Circuits. 5th Edition. NewYork, NY: Oxford University Press, 2004.

Boylestad, R. L., Nashelsky, L. Electronic Devices and Circuit Theory. 8th
Edition. New Jersey, Pearson, 2002.
REIS, Ricardo Augusto da Luz. Concepção de circuitos integrados. 2. ed. PortoAlegre: Bookman, 2008. 256 p.
Sze, S. M.; Lee, M. K. Semiconductor devices: physics and technology. 3rd ed.New York, NY: John Wiley, 2012. 578 p.
Dimitrijev, S. Principles of Semiconductor Devices. Second Edition. OxfordUniversity Press, 2012.
Streetman, B. G., Banerjee, S. K. Solid State Eletronic Devices. 7th Edition.Pearson, 2015.
VAN ZANT, Peter. Microchip fabrication: a practical guide to semiconductorprocessing. 5th ed. New York: McGraw-Hill.
WAKERLY, John F. Digital design: principles and practices. 4th ed. UpperSaddle River, NJ.: Pearson Prentice Hall, 2006. xxiv, 895 p.

1 - Estados limites últimos para solicitações normais: Hipóteses de cálculo, domínios de
deformação,ﬂexão normal e composta;
2 - Estado limite último para solicitações tangenciais: Força cortante, dimensionamento,
disposições construtivas, detalhamento de armaduras transversais;
3- Estados limites de serviço: Estado limite de deformação excessiva, estado limite de
formação de ﬁssuras, estado limite de abertura de ﬁssuras;
4 - Pilares em concreto armado: Dimensionamento e disposições construtivas;
5 - Fundações em concreto armado: Sapatas, blocos sobre estacas, disposições
construtivas;
6 - Estática de partículas e corpos rígidos;
7 - Dinâmica de partículas e corpos rígidos;
8 - Análise de tensões e deformações.

Observação:
O ponto sorteado para a Prova Escrita será retirado para o sorteio de ponto da Prova de Desempenho de Ensino.

A relação a seguir contempla as referências consideradas elementares, o que não impede que outras sejam utilizadas.

ASSOCIAÇÃO BRASILEIRA DE NORMAS TÉCNICAS. NBR 6120 – Cargas para o Cálculo de Estruturas de Ediﬁcações. Rio de Janeiro: 2019.
ASSOCIAÇÃO BRASILEIRA DE NORMAS TÉCNICAS. NBR 6123 – Forças devidas ao vento em ediﬁcações. Rio de Janeiro: 1988.
ASSOCIAÇÃO BRASILEIRA DE NORMAS TÉCNICAS. NBR 8681 – Ações e Segurança nas Estruturas -Procedimento. Rio de Janeiro: 2003.
ASSOCIAÇÃO BRASILEIRA DE NORMAS TÉCNICAS. NBR-6122 – Projeto e execução de fundações –Procedimento, ABNT, 2019.
ASSOCIAÇÃO BRASILEIRA DE NORMAS TÉCNICAS. NBR 6118– Projeto de Estruturas de Concreto – Procedimento, ABNT, 2014.
FUSCO, P.B. Estruturas de Concreto, Solicitações Normais, Editora Guanabara Dois S.A., Rio de Janeiro,1981.
FUSCO, P.B. Estruturas de Concreto, Solicitações Tangenciais, Editora PINI, São Paulo, 2008.
LEONHARDT, F.; MONNIG, E. Construções de Concreto, Volumes: 1 a 3, Editora Interciência, Rio de Janeiro.
CARVALHO, R.C.; FIGUEIREDO FILHO, J.R. Cálculo e Detalhamento de Estruturas Usuais de Concreto Armado segundo a NBR 6118:2014. 4ª. Ed. Editora EDUFSCar. São Carlos, SP, 2014.
CARVALHO, R.C.; LIBÂNIO M.P. Cálculo e Detalhamento de Estruturas Usuais de Concreto Armado. Volume2, 2ª. Ed. Editora PINI. São Paulo, 2013.
BEER, F.P.; JOHNSTON JR., E.R. Mecânica Vetorial para Engenheiros. 5ª. Ed. São Paulo: Makron, 1994. ISBN 85-346-0202-6.
BEER, F.P; JOHNSTON JR., E.R.; DEWOLF, J.T. Resistência dos Materiais. 4ª. Ed. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 2006. 774 p.
HIBBELER, R.C. Estática: Mecânica para Engenharia. 10ª. Ed. São Paulo: Prence Hall, 2005. 540 p. ISBN 85-879-1897-4.
HIBBELER, R.C. Dinâmica: Mecânica para Engenharia. 10ª. Ed. São Paulo: Prence Hall, 2005. 540 p. ISBN 85-879-1897-4.

HIBBELER, R.C. Resistência dos Materiais. 5ª. Ed. São Paulo: Prence Hall, 2004. 670 p.
NASH, W.A. Resistência dos Materiais. 2ª. Ed. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1982.
TIMOSHENKO, S.P. Resistência dos Materiais. Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Cienﬁcos, 1976.

Documento assinado eletronicamente por (Document electronically signed by) MARCELO KUSMA, PRESIDENTE DE COMISSÃO, em (at) 09/12/2022, às 08:53, conforme horário oficial de Brasília (according to official Brasilia-Brazil time), com fundamento no (with legal based on) art. 4º, § 3º, do Decreto nº 10.543, de 13 de novembro de 2020.

Documento assinado eletronicamente por (Document electronically signed by) MARCOS FLAVIO DE OLIVEIRA SCHIEFLER FILHO, REITOR, em (at) 14/12/2022, às 15:44, conforme horário oficial de Brasília (according to official Brasilia-Brazil time), com fundamento no (with legal based on) art. 4º, § 3º, do Decreto nº 10.543, de 13 de novembro de 2020.

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Área/Subárea:	VG	VG PCD	PDE	CH	Requisito⁽¹⁾
ENGENHARIAS IV/ENGENHARIA ELÉTRICA	01	0	05	40	Graduação em Engenharia Elétrica ou em Engenharia Eletrônica, com Mestrado na área de Engenharias IV.
ENGENHARIAS I/ENGENHARIA CIVIL	01	0	05	40	Graduação em Engenharia Civil, com Especialização na área de Engenharias I.

Titulação	Vencimento Básico	Retribuição por Titulação	Total
Especialização	3.130,85	469,63	3.600,48
Mestrado	3.130,85	1.174,07	4.304,92
Doutorado	3.130,85	2.700,36	5.831,21
TAXA DE INSCRIÇÃO R$ 90,00